DS24B33+ vs DS24B33Q+T&R Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von DS24B33+ von Analog Devices und DS24B33Q+T&R von Maxim Integrated. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Analog Devices
DS24B33+ DS24B33+ - 4Kb 1-Wire EEPROM, TO-92 | Analog Devices

DS24B33+ - 4Kb 1-Wire EEPROM, TO-92 | Analog Devices

DS24B33+ ✓ Aktiv
Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R DS24B33Q+T&R - 4Kb 1-Wire EEPROM, 6-TDFN | Maxim Integrated

DS24B33Q+T&R - 4Kb 1-Wire EEPROM, 6-TDFN | Maxim Integrated

DS24B33Q+T&R ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter DS24B33+ DS24B33Q+T&R
Marke Analog Devices Maxim Integrated
Kategorie EEPROM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,92 $2,85
Speichertyp EEPROM (Non-Volatile) Non-volatile EEPROM (1-Wire)
Speichergröße 4 Kbit (4096 bits) 4 Kbit (4096 bits)
Memory Organization 16 pages x 256 bits (16 pages x 32 bytes) 16 pages x 256 bits
Schnittstelle 1-Wire (single-conductor serial) 1-Wire (single-conductor)
Scratchpad Size 32 bytes (256 bits) 32 bytes
Write/Erase Endurance 200K cycles per page —
Unique ROM Registration 64-bit factory-programmed laser ROM —
Operating Voltage 2.8 V to 5.25 V 3.3 V / 5 V
Write/Erase Time (typical) 2 µs (page write cycle) —
Betriebstemperatur -40°C to +85°C -40 C to +85 C
Gehäuse TO-92-3 (through-hole) 6-TDFN (3x3 mm) with Exposed Pad
Pin-Anzahl 3 —
Montageart Through-Hole Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
On-Chip CRC CRC-16 generator —
Write Cycle Time — 2 us (scratchpad, typical)
Unique ID — 64-bit factory-programmed ROM ID
Data Retention — 40 years (typical)
MSL-Level — 1 (data undisclosed in sources)
Family Code — 0x23 (1-Wire)

Datenblätter & Ressourcen

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