DS24B33Q+T&R vs DS24B33+ Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von DS24B33Q+T&R von Maxim Integrated und DS24B33+ von Analog Devices. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R DS24B33Q+T&R - 4Kb 1-Wire EEPROM, 6-TDFN | Maxim Integrated

DS24B33Q+T&R - 4Kb 1-Wire EEPROM, 6-TDFN | Maxim Integrated

DS24B33Q+T&R ✓ Aktiv
Analog Devices
DS24B33+ DS24B33+ - 4Kb 1-Wire EEPROM, TO-92 | Analog Devices

DS24B33+ - 4Kb 1-Wire EEPROM, TO-92 | Analog Devices

DS24B33+ ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter DS24B33Q+T&R DS24B33+
Marke Maxim Integrated Analog Devices
Kategorie Memory ICs EEPROM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,85 $1,92
Speichertyp Non-volatile EEPROM (1-Wire) EEPROM (Non-Volatile)
Speichergröße 4 Kbit (4096 bits) 4 Kbit (4096 bits)
Memory Organization 16 pages x 256 bits 16 pages x 256 bits (16 pages x 32 bytes)
Scratchpad Size 32 bytes 32 bytes (256 bits)
Schnittstelle 1-Wire (single-conductor) 1-Wire (single-conductor serial)
Write Cycle Time 2 us (scratchpad, typical) —
Operating Voltage 3.3 V / 5 V 2.8 V to 5.25 V
Unique ID 64-bit factory-programmed ROM ID —
Data Retention 40 years (typical) —
Gehäuse 6-TDFN (3x3 mm) with Exposed Pad TO-92-3 (through-hole)
Montageart Surface Mount Through-Hole
Betriebstemperatur -40 C to +85 C -40°C to +85°C
MSL-Level 1 (data undisclosed in sources) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Family Code 0x23 (1-Wire) —
Write/Erase Endurance — 200K cycles per page
Unique ROM Registration — 64-bit factory-programmed laser ROM
Write/Erase Time (typical) — 2 µs (page write cycle)
Pin-Anzahl — 3
On-Chip CRC — CRC-16 generator

Datenblätter & Ressourcen

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