DS24B33Q+T&R vs DS24B33+ Comparación
Comparación detallada lado a lado de DS24B33Q+T&R por Maxim Integrated y DS24B33+ por Analog Devices. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | DS24B33Q+T&R | DS24B33+ |
|---|---|---|
| Marca | Maxim Integrated | Analog Devices |
| Categoría | Memory ICs | EEPROM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,85 | $1,92 |
| Tipo de memoria | Non-volatile EEPROM (1-Wire) | EEPROM (Non-Volatile) |
| Tamaño de memoria | 4 Kbit (4096 bits) | 4 Kbit (4096 bits) |
| Memory Organization | 16 pages x 256 bits | 16 pages x 256 bits (16 pages x 32 bytes) |
| Scratchpad Size | 32 bytes | 32 bytes (256 bits) |
| Interfaz | 1-Wire (single-conductor) | 1-Wire (single-conductor serial) |
| Write Cycle Time | 2 us (scratchpad, typical) | — |
| Operating Voltage | 3.3 V / 5 V | 2.8 V to 5.25 V |
| Unique ID | 64-bit factory-programmed ROM ID | — |
| Data Retention | 40 years (typical) | — |
| Encapsulado | 6-TDFN (3x3 mm) with Exposed Pad | TO-92-3 (through-hole) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Through-Hole |
| Temperatura de funcionamiento | -40 C to +85 C | -40°C to +85°C |
| Nivel MSL | 1 (data undisclosed in sources) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Family Code | 0x23 (1-Wire) | — |
| Write/Erase Endurance | — | 200K cycles per page |
| Unique ROM Registration | — | 64-bit factory-programmed laser ROM |
| Write/Erase Time (typical) | — | 2 µs (page write cycle) |
| Recuento de pines | — | 3 |
| On-Chip CRC | — | CRC-16 generator |