DS24B33+ vs DS24B33Q+T&R Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de DS24B33+ par Analog Devices et DS24B33Q+T&R par Maxim Integrated. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Analog Devices
DS24B33+ DS24B33+ - 4Kb 1-Wire EEPROM, TO-92 | Analog Devices

DS24B33+ - 4Kb 1-Wire EEPROM, TO-92 | Analog Devices

DS24B33+ ✓ Actif
Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R DS24B33Q+T&R - 4Kb 1-Wire EEPROM, 6-TDFN | Maxim Integrated

DS24B33Q+T&R - 4Kb 1-Wire EEPROM, 6-TDFN | Maxim Integrated

DS24B33Q+T&R ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre DS24B33+ DS24B33Q+T&R
Marque Analog Devices Maxim Integrated
Catégorie EEPROM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,92 $2,85
Type de mémoire EEPROM (Non-Volatile) Non-volatile EEPROM (1-Wire)
Taille de mémoire 4 Kbit (4096 bits) 4 Kbit (4096 bits)
Memory Organization 16 pages x 256 bits (16 pages x 32 bytes) 16 pages x 256 bits
Interface 1-Wire (single-conductor serial) 1-Wire (single-conductor)
Scratchpad Size 32 bytes (256 bits) 32 bytes
Write/Erase Endurance 200K cycles per page —
Unique ROM Registration 64-bit factory-programmed laser ROM —
Operating Voltage 2.8 V to 5.25 V 3.3 V / 5 V
Write/Erase Time (typical) 2 µs (page write cycle) —
Température de fonctionnement -40°C to +85°C -40 C to +85 C
Boîtier TO-92-3 (through-hole) 6-TDFN (3x3 mm) with Exposed Pad
Nombre de broches 3 —
Type de montage Through-Hole Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
On-Chip CRC CRC-16 generator —
Write Cycle Time — 2 us (scratchpad, typical)
Unique ID — 64-bit factory-programmed ROM ID
Data Retention — 40 years (typical)
Niveau MSL — 1 (data undisclosed in sources)
Family Code — 0x23 (1-Wire)

Fiches techniques et ressources

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