DS24B33Q+T&R vs DS24B33+ Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de DS24B33Q+T&R par Maxim Integrated et DS24B33+ par Analog Devices. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R DS24B33Q+T&R - 4Kb 1-Wire EEPROM, 6-TDFN | Maxim Integrated

DS24B33Q+T&R - 4Kb 1-Wire EEPROM, 6-TDFN | Maxim Integrated

DS24B33Q+T&R ✓ Actif
Analog Devices
DS24B33+ DS24B33+ - 4Kb 1-Wire EEPROM, TO-92 | Analog Devices

DS24B33+ - 4Kb 1-Wire EEPROM, TO-92 | Analog Devices

DS24B33+ ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre DS24B33Q+T&R DS24B33+
Marque Maxim Integrated Analog Devices
Catégorie Memory ICs EEPROM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,85 $1,92
Type de mémoire Non-volatile EEPROM (1-Wire) EEPROM (Non-Volatile)
Taille de mémoire 4 Kbit (4096 bits) 4 Kbit (4096 bits)
Memory Organization 16 pages x 256 bits 16 pages x 256 bits (16 pages x 32 bytes)
Scratchpad Size 32 bytes 32 bytes (256 bits)
Interface 1-Wire (single-conductor) 1-Wire (single-conductor serial)
Write Cycle Time 2 us (scratchpad, typical) —
Operating Voltage 3.3 V / 5 V 2.8 V to 5.25 V
Unique ID 64-bit factory-programmed ROM ID —
Data Retention 40 years (typical) —
Boîtier 6-TDFN (3x3 mm) with Exposed Pad TO-92-3 (through-hole)
Type de montage Surface Mount Through-Hole
Température de fonctionnement -40 C to +85 C -40°C to +85°C
Niveau MSL 1 (data undisclosed in sources) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Family Code 0x23 (1-Wire) —
Write/Erase Endurance — 200K cycles per page
Unique ROM Registration — 64-bit factory-programmed laser ROM
Write/Erase Time (typical) — 2 µs (page write cycle)
Nombre de broches — 3
On-Chip CRC — CRC-16 generator

Fiches techniques et ressources

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