IRFS4010TRLPBF vs IRFS7440TRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFS4010TRLPBF メーカー: Infineon および IRFS7440TRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF - 100V 180A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IRFS4010TRLPBF - 100V 180A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IRFS4010TRLPBF ✓ 生産中
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IRFS7440TRLPBF IRFS7440TRLPBF - 40V 120A StrongIRFET N-MOSFET | Infineon

IRFS7440TRLPBF - 40V 120A StrongIRFET N-MOSFET | Infineon

IRFS7440TRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFS4010TRLPBF IRFS7440TRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.86 $0.98
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 180 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V 4.7 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max Plus or minus 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) 143 nC 90 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at TC=25C 375 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ D2PAK (TO-263AB), surface mount TO-263 (D2PAK), surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage 10 V (normal level, optimized) —
RoHS ステータス Compliant Compliant (lead-free)
MSLレベル 1 —
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — StrongIRFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 120 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 208 W
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (normal level)
Operating Frequency Range (optimized) — <100 kHz
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: junction temperature range]

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