DS24B33Q+T&R vs DS24B33+ Comparação

Comparação detalhada lado a lado de DS24B33Q+T&R por Maxim Integrated e DS24B33+ por Analog Devices. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R DS24B33Q+T&R - 4Kb 1-Wire EEPROM, 6-TDFN | Maxim Integrated

DS24B33Q+T&R - 4Kb 1-Wire EEPROM, 6-TDFN | Maxim Integrated

DS24B33Q+T&R ✓ Ativo
Analog Devices
DS24B33+ DS24B33+ - 4Kb 1-Wire EEPROM, TO-92 | Analog Devices

DS24B33+ - 4Kb 1-Wire EEPROM, TO-92 | Analog Devices

DS24B33+ ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro DS24B33Q+T&R DS24B33+
Marca Maxim Integrated Analog Devices
Categoria Memory ICs EEPROM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,85 $1,92
Tipo de memória Non-volatile EEPROM (1-Wire) EEPROM (Non-Volatile)
Tamanho da memória 4 Kbit (4096 bits) 4 Kbit (4096 bits)
Memory Organization 16 pages x 256 bits 16 pages x 256 bits (16 pages x 32 bytes)
Scratchpad Size 32 bytes 32 bytes (256 bits)
Interface 1-Wire (single-conductor) 1-Wire (single-conductor serial)
Write Cycle Time 2 us (scratchpad, typical) —
Operating Voltage 3.3 V / 5 V 2.8 V to 5.25 V
Unique ID 64-bit factory-programmed ROM ID —
Data Retention 40 years (typical) —
Encapsulamento 6-TDFN (3x3 mm) with Exposed Pad TO-92-3 (through-hole)
Tipo de montagem Surface Mount Through-Hole
Temperatura de operação -40 C to +85 C -40°C to +85°C
Nível MSL 1 (data undisclosed in sources) —
Status RoHS Compliant Compliant
Family Code 0x23 (1-Wire) —
Write/Erase Endurance — 200K cycles per page
Unique ROM Registration — 64-bit factory-programmed laser ROM
Write/Erase Time (typical) — 2 µs (page write cycle)
Contagem de pinos — 3
On-Chip CRC — CRC-16 generator

Fichas técnicas e recursos

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