DS24B33Q+T&R vs DS24B33+ Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma DS24B33Q+T&R tarafından Maxim Integrated ve DS24B33+ tarafından Analog DevicesAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R DS24B33Q+T&R - 4Kb 1-Wire EEPROM, 6-TDFN | Maxim Integrated

DS24B33Q+T&R - 4Kb 1-Wire EEPROM, 6-TDFN | Maxim Integrated

DS24B33Q+T&R ✓ Aktif
Analog Devices
DS24B33+ DS24B33+ - 4Kb 1-Wire EEPROM, TO-92 | Analog Devices

DS24B33+ - 4Kb 1-Wire EEPROM, TO-92 | Analog Devices

DS24B33+ ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre DS24B33Q+T&R DS24B33+
Marka Maxim Integrated Analog Devices
Kategori Memory ICs EEPROM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü Non-volatile EEPROM (1-Wire) EEPROM (Non-Volatile)
Bellek Boyutu 4 Kbit (4096 bits) 4 Kbit (4096 bits)
Memory Organization 16 pages x 256 bits 16 pages x 256 bits (16 pages x 32 bytes)
Scratchpad Size 32 bytes 32 bytes (256 bits)
Arayüz 1-Wire (single-conductor) 1-Wire (single-conductor serial)
Write Cycle Time 2 us (scratchpad, typical) —
Operating Voltage 3.3 V / 5 V 2.8 V to 5.25 V
Unique ID 64-bit factory-programmed ROM ID —
Data Retention 40 years (typical) —
Paket 6-TDFN (3x3 mm) with Exposed Pad TO-92-3 (through-hole)
Montaj Türü Surface Mount Through-Hole
İşletim Sıcaklığı -40 C to +85 C -40°C to +85°C
MSL Seviyesi 1 (data undisclosed in sources) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Family Code 0x23 (1-Wire) —
Write/Erase Endurance — 200K cycles per page
Unique ROM Registration — 64-bit factory-programmed laser ROM
Write/Erase Time (typical) — 2 µs (page write cycle)
Pin Sayısı — 3
On-Chip CRC — CRC-16 generator

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin