1EDN7511BXUSA1 vs 2EDN7533BXTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7511BXUSA1 بواسطة Infineon و 2EDN7533BXTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7511BXUSA1 2EDN7533BXTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
عدد المخارج 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
زمن الصعود [DATA_NEEDED: rise time ns] —
زمن السقوط 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
جهد التغذية التشغيلي [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS —
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C -40 C to +125 C
العلبة PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-SOT23-6-1 (6-pin SOT-23, 2.9x1.6 mm)
نوع التركيب Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Type — Dual-channel low-side gate driver IC
Number of Channels — 2
Logic Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Current — ±5 A
Supply Voltage (VDD) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Skew — [DATA_NEEDED: skew value]
Input Compatibility — LV-TTL, -12 V to +22 V absolute max tolerant
UVLO — Integrated under-voltage lockout
Output Clamping — Active gate voltage clamping
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر