27C256-120N vs 27C256-17 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 27C256-120N بواسطة ASI و 27C256-17 بواسطة Microchip Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

ASI
27C256-120N 27C256-120N - 32Kx8 120ns CMOS EPROM | ASI | Legacy Memory

27C256-120N - 32Kx8 120ns CMOS EPROM | ASI | Legacy Memory

27C256-120N ✗ انتهى عمره الإنتاجي
Microchip Technology
27C256-17 27C256-17 - 256Kbit UV EPROM 170ns 32Kx8 | Microchip Technology

27C256-17 - 256Kbit UV EPROM 170ns 32Kx8 | Microchip Technology

27C256-17 Obsolete

مقارنة المواصفات

المعامل 27C256-120N 27C256-17
العلامة التجارية ASI Microchip Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نهاية العمر الإنتاجي Obsolete
Memory Organization 32K x 8 bit (256 Kbit) —
Access Time 120 ns 170 ns
Technology CMOS EPROM (UV erasable) CMOS
Supply Voltage (Read) 5 V +/-10% —
Standby Current 20 uA typical (CMOS standby) —
Active Current [DATA_NEEDED: active supply current] —
Programming Method 100% Flashrite programming —
Pinout JEDEC-approved 27C256 pinout —
العلبة 28-pin plastic DIP (DIP-28) CDIP-28 (windowed CERDIP, 0.6 inch)
Erase Method Ultraviolet light (quartz window / windowed variant) Ultraviolet light (quartz window)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: commercial operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
نوع الخرج Parallel, 3-state outputs —
Control Signals CE, OE, PGM /CE, /OE, VPP
حالة دورة الحياة End of Life (per Futurlec) —
نوع الذاكرة — EPROM - UV (windowed)
حجم الذاكرة — 256 Kbit
التنظيم — 32K x 8
الواجهة — Parallel
جهد التغذية — 4.5 V to 5.5 V
Temperature Grade — Commercial
Number of Terminals — 28
Address Lines — A0 - A14 (15)
Data Lines — 8-bit bidirectional

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر