27C512-10 vs 27C512-25-X مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 27C512-10 بواسطة Texas Instruments و 27C512-25-X بواسطة Fujitsu. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
27C512-10 27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 ✗ انتهى عمره الإنتاجي

مقارنة المواصفات

المعامل 27C512-10 27C512-25-X
العلامة التجارية Texas Instruments Fujitsu
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نهاية العمر الإنتاجي Obsolete
حجم الذاكرة 512 Kbit 512 Kbit (64K x 8)
التنظيم 64K x 8 65,536 words x 8 bits
نوع الذاكرة OTP EPROM (CMOS) UV EPROM
Access Time (Speed Grade -10) 100 ns —
Supply Voltage (VCC) +5 V with +/-10% tolerance —
Programming Voltage (VPP) +12.5 V —
Standby Current 20 uA typical (CMOS standby) [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Mode Totally static operation —
الواجهة Parallel, TTL compatible Parallel
Address Lines 15 (A0-A14) 15 (A0-A14)
Data Lines 8 (Q0-Q7), tri-state outputs 8 (D0-D7), 3-state outputs
Control Signals /E (chip enable), /G (output enable) /CE (chip enable), /OE (output enable), /PGM (program)
Pinout Standard JEDEC-approved 28-pin EPROM pinout —
العلبة 28-pin DIP 28-pin DIP (windowed ceramic or plastic OTP variant per suffix)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Erase Method One-Time Programmable (not erasable) —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
حالة RoHS unknown unknown (legacy non-RoHS-era part)
Access Time — 250 ns
Supply Voltage (Read) — 5 V +/- 10%
Technology — CMOS
Programming Voltage — [DATA_NEEDED: VPP programming voltage]
Active Current — [DATA_NEEDED: active current]
Pinout — JEDEC-approved 27C512 pinout

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر