27C512-20 vs 27C512-10 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 27C512-20 بواسطة Fujitsu و 27C512-10 بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
27C512-10 27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 ✗ انتهى عمره الإنتاجي

مقارنة المواصفات

المعامل 27C512-20 27C512-10
العلامة التجارية Fujitsu Texas Instruments
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة Obsolete نهاية العمر الإنتاجي
نوع الذاكرة UV EPROM OTP EPROM (CMOS)
Technology CMOS —
Density 512 Kbit (524,288 bits) —
التنظيم 64K x 8 64K x 8
Maximum Access Time 200 ns —
Supply Voltage (VCC) 5 V +5 V with +/-10% tolerance
Outputs 3-state —
Operation Asynchronous —
العلبة CQCC32 / LCC32 (ceramic, UV window) 28-pin DIP
نوع التركيب Surface Mount Through Hole
Erase Method Ultraviolet light One-Time Programmable (not erasable)
الواجهة Parallel Parallel, TTL compatible
Word Size 8 bit —
Address Count 65,536 words —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] 20 uA typical (CMOS standby)
Programming Voltage (VPP) [DATA_NEEDED: VPP voltage] +12.5 V
حجم الذاكرة — 512 Kbit
Access Time (Speed Grade -10) — 100 ns
Operating Mode — Totally static operation
Address Lines — 15 (A0-A14)
Data Lines — 8 (Q0-Q7), tri-state outputs
Control Signals — /E (chip enable), /G (output enable)
Pinout Standard — JEDEC-approved 28-pin EPROM pinout
حالة RoHS — unknown

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر