27C512-25 vs 27C512L-15T مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 27C512-25 بواسطة Microchip Technology و 27C512L-15T بواسطة WaferScale Integration. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Microchip Technology
27C512-25 27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 Obsolete
WaferScale Integration
27C512L-15T 27C512L-15T - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 150ns | WSI

27C512L-15T - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 150ns | WSI

27C512L-15T Obsolete

مقارنة المواصفات

المعامل 27C512-25 27C512L-15T
العلامة التجارية Microchip Technology WaferScale Integration
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة Obsolete Obsolete
Memory Organization 64K x 8 (524,288 bits) —
نوع الذاكرة CMOS EPROM (UV / OTP) CMOS UV/OTP EPROM
Maximum Access Time 250 ns —
Supply Voltage (Read Mode) 5 V +/- 10% —
Standby Current (CMOS) 20 uA typical 20 uA typical
Operating Mode Asynchronous —
نوع الخرج 3-state, common I/O Tri-state, 8-bit data bus (O0-O7)
Pinout Standard JEDEC-approved 28-pin JEDEC-approved 27C512 pinout
العلبة DIP-28 32-PLCC (T suffix)
نوع التركيب Through Hole Surface Mount
Programming Method High-voltage EPROM programming (Flashrite type) —
Erase Method UV (windowed variant) or not erasable (OTP variant) —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Time Guarantee Any byte in less than 250 ns —
Technology CMOS floating gate —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
Density — 512 Kilobit (64K x 8)
التنظيم — 64K x 8-bit
Access Time — 150 ns (-15 speed grade)
جهد التغذية — +5 V +/-10%
Programming Voltage (VPP) — +12.5 V
Programming Algorithm — 100% Flashrite programming
الواجهة — Parallel
Active Current — [DATA_NEEDED: active read current]
Address Inputs — A0-A15 (16 address lines)
Control Signals — CE, OE, VPP

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر