2ED21834S06JXUMA1 vs 2EDL8123GXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED21834S06JXUMA1 بواسطة Infineon و 2EDL8123GXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED21834S06JXUMA1 2EDL8123GXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
العلبة PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-VDSON-8-4 (VSON-8 with thermal pad)
عدد الدبابيس 14 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +125 °C —
حالة RoHS Compliant Compliant
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Input Type — Non-Inverting
Number of Drivers — 2
Maximum Bootstrap Voltage (V_BS) — 120 V
Source Current (I_source, typical) — 3 A
Sink Current (I_sink, typical) — 4 A
Supply Voltage (V_CC) — [DATA_NEEDED: V_CC range]
UVLO Protection — Yes (V_CC and V_BS)
Bootstrap Diode — Integrated
Isolation Type — Junction-Isolated (JI)
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: t_on / t_off]
Logic Input Compatibility — TTL/CMOS
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر