2EDB7259KXUMA1 vs 2EDL5013U2DXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDB7259KXUMA1 بواسطة Infineon و 2EDL5013U2DXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDB7259KXUMA1 2EDL5013U2DXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Isolated Gate Driver IC —
Number of Channels 2 2
Source Drive Current 5 A —
Sink Drive Current 9 A —
Isolation Voltage 2500 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay 38 ns —
جهد التغذية 12 V to 18 V —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة 13-LGA (5x5 mm) PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology Coreless Transformer Isolation —
Protection Features UVLO, Short-Circuit, Miller Clamp —
Output Stage Rail-to-rail p-channel sourcing —
حالة RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Input Logic — Non-Inverting
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 3 A
تكوين الخرج — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Bootstrap Voltage Rating — 120 V max
Rise Time (typ.) — 4.4 ns
Fall Time (typ.) — 3.5 ns
Miller Clamp — 7 A active Miller clamp
Bootstrap Diode — Integrated
UVLO — VCC and VBS under-voltage lockout
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر