2EDL5013U2DXTMA1 vs 2EDL5023U2DXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL5013U2DXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDL5023U2DXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5023U2DXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration High-Side, Low-Side (Half-Bridge) Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Input Logic Non-Inverting TTL-compatible
Number of Channels 2 1 (Half-Bridge)
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 3 A —
تكوين الخرج Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Bootstrap Voltage Rating 120 V max 120 V
Rise Time (typ.) 4.4 ns —
Fall Time (typ.) 3.5 ns —
Miller Clamp 7 A active Miller clamp —
Bootstrap Diode Integrated —
UVLO VCC and VBS under-voltage lockout —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm) PG-TSNP-12-5
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Non-Inverting
عدد المخارج — 2
Peak Gate Drive Current — 3 A (typical sink/source)
Input Voltage (VDD) — 5 V (gate drive supply)
Enable Pin (EN) — Active-High (logic high or left open enables)
PWM Inputs — HI (high-side), LI (low-side)
Ground Return — VSS
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C (typical industrial range)
Tape and Reel Packaging — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر