2EDL8123GXUMA1 vs 6ED003L02F2XUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL8123GXUMA1 بواسطة Infineon و 6ED003L02F2XUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL8123GXUMA1 6ED003L02F2XUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Input Type Non-Inverting —
Number of Drivers 2 —
Maximum Bootstrap Voltage (V_BS) 120 V —
Source Current (I_source, typical) 3 A —
Sink Current (I_sink, typical) 4 A —
Supply Voltage (V_CC) [DATA_NEEDED: V_CC range] —
UVLO Protection Yes (V_CC and V_BS) —
Bootstrap Diode Integrated —
Isolation Type Junction-Isolated (JI) —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40 C to +125 C (industrial)
العلبة PG-VDSON-8-4 (VSON-8 with thermal pad) PG-TSSOP-28
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Propagation Delay [DATA_NEEDED: t_on / t_off] —
Logic Input Compatibility TTL/CMOS —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Product Type — Three-phase gate driver IC
البنية الطوبولوجية — Half-bridge, 3-phase, high-side / low-side
عدد المخارج — 6 (3 high-side + 3 low-side)
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Supported Power Switches — 180 V-class IGBTs, power MOSFETs
Gate Drive Current (typ.) — 0.375 A (source/sink)
Output Polarity — Inverting
Over-Current Protection (OCP) — Integrated comparator with FAULT output
Enable Input — Yes (hardware shutdown)
FAULT Reporting — Yes (open-drain fault output)
Level-shift Technology — LS-SOI (Infineon proprietary)
Packaging Form — Tape & Reel (XUMA1 suffix)
Compliance — EU RoHS compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر