2EDN7533RXTMA1 vs 1ED44175N01BXTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDN7533RXTMA1 بواسطة Infineon و 1ED44175N01BXTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2EDN7533RXTMA1 | 1ED44175N01BXTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| الوظيفة | Dual-channel low-side gate driver | Low-side gate driver |
| Number of Channels | 2 | 1 |
| Input Polarity | Inverting | — |
| Peak Source/Sink Output Current | 5 A | — |
| Output Resistance (Pull-up, typ.) | 0.5 ohm | — |
| Output Resistance (Pull-down, typ.) | 0.3 ohm | — |
| Propagation Delay (typ.) | 19 ns | — |
| Channel-to-Channel Delay Matching | 1.3 ns (typ.) | — |
| Rise/Fall Time | 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) | [DATA_NEEDED: rise/fall time ns] |
| Input Logic Compatibility | LV-TTL | — |
| Input Voltage Tolerance | -12 V to +22 V | — |
| Supply Voltage VDD (recommended) | 4.5 V to 20 V | — |
| Supply Voltage VDD (absolute max) | 25 V | — |
| Under-Voltage Lockout | Yes (per channel) | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -40 C to +150 C | — |
| العلبة | PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad | PG-SOT23-6-3 (6-lead) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Type | — | IGBT, MOSFET (single-channel) |
| Configuration | — | Non-inverting |
| Output Current (Source/Sink) | — | 2.6 A typical |
| Supply Voltage Range | — | Up to 25 V |
| Logic Input Compatibility | — | CMOS, LSTTL |
| Over-Current Protection (OCP) | — | Integrated (OCP pin) |
| FAULT Output | — | Yes (status reporting) |
| دبوس التمكين | — | Yes |
| Propagation Delay | — | [DATA_NEEDED: propagation delay ns] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Technology | — | CMOS (latch-up immune) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |