2EDN7533RXTMA1 vs 1EDN7512GXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDN7533RXTMA1 بواسطة Infineon و 1EDN7512GXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDN7533RXTMA1 1EDN7512GXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Dual-channel low-side gate driver Low-side gate driver, single channel
Number of Channels 2 —
Input Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Output Current 5 A —
Output Resistance (Pull-up, typ.) 0.5 ohm —
Output Resistance (Pull-down, typ.) 0.3 ohm —
Propagation Delay (typ.) 19 ns —
Channel-to-Channel Delay Matching 1.3 ns (typ.) —
Rise/Fall Time 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V —
Supply Voltage VDD (recommended) 4.5 V to 20 V —
Supply Voltage VDD (absolute max) 25 V —
Under-Voltage Lockout Yes (per channel) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 C to +150 C —
العلبة PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
عدد المخارج — 1
Logic Inputs — Inverting and Non-Inverting
Propagation Delay (typical) — 19 ns
نطاق جهد الدخل — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Robustness (negative) — -10 V
زمن الصعود — [DATA_NEEDED: typical tr]
زمن السقوط — [DATA_NEEDED: typical tf]
UVLO — [DATA_NEEDED: UVLO threshold]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر