2EDN7534RXTMA1 vs 1ED3122MC12HXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDN7534RXTMA1 بواسطة Infineon و 1ED3122MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDN7534RXTMA1 1ED3122MC12HXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Low-side gate driver —
Number of Channels 2 1
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
تكوين الخرج Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40 C to +125 C
العلبة PG-TSSOP-8 PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) 2
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Type — Isolated Gate Driver (single-channel)
Isolation Technology — Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage (Vrms) — 5.7 kVrms
Maximum Transient Isolation (Vpk) — 8 kVpk
Output Current (source / sink) — 10 A / 9 A
Configuration — High-side, non-inverting
Supply Voltage (VCC / VBS) — 8 V to 35 V
Propagation Delay (typ.) — 30 ns
Rise Time / Fall Time (typ.) — 15 ns / 30 ns
Miller Clamp — Active (integrated)
Short-Circuit Clamping — Yes
UVLO — Primary and secondary side

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر