2EDR8258XXUMA1 vs 1EDN7136UXTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDR8258XXUMA1 بواسطة Infineon و 1EDN7136UXTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDR8258XXUMA1 1EDN7136UXTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling —
Number of Channels 1 —
عدد المخارج 2 (high-side and low-side, half-bridge) 2 (high-side and low-side)
Peak Source Current 5 A 1 A
Peak Sink Current 9 A 2 A
Galvanic Isolation (rms) 5700 Vrms —
Galvanic Isolation (peak) 8000 Vpk —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typical) 38 ns —
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) 8 V to 20 V —
Input Supply Voltage (VDD) 3 V to 5.5 V —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +125 °C -40 C to +150 C
العلبة PG-DSO-14 (14-pin) TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
Protection Features UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection —
Logic Input Non-inverting, CMOS compatible —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
الوظيفة — High-side / Low-side gate driver IC
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes (per Infineon product family convention)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر