2EP100RXTMA1 vs 2EP110RXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EP100RXTMA1 بواسطة Infineon و 2EP110RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EP100RXTMA1 2EP110RXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Voltage Regulators
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
البنية الطوبولوجية Full-bridge (H-bridge) with external transformer Full-bridge (two internal half-bridges)
Output Power (max) 5 W —
Supply Voltage (max) 20 V —
Supply Voltage (min, typical) [DATA_NEEDED: min supply voltage] —
تردد التبديل Programmable via external resistor 50 kHz / 65 kHz (selectable)
Dead Time Configurable —
تكوين الخرج Drives external center-tapped transformer Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary)
بدء التشغيل الناعم Built-in —
Enable / Shutdown Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Built-in —
الإيقاف الحراري Built-in —
Short-Circuit Protection Built-in (primary-side current limit) —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
العلبة PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL 3 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant Compliant
Target Applications Isolated gate driver supplies, isolated DC-DC converters —
Input Voltage (VCC) — 20 V nominal
Output Power — 5 W
Target Loads — IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Protection Features — Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر