ADS62P28IRGC25 vs ADS62P22IRGC25 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ADS62P28IRGC25 بواسطة Texas Instruments و ADS62P22IRGC25 بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
ADS62P28IRGC25 ADS62P28IRGC25 - Dual 12-Bit 210-MSPS ADC with DDR LVDS/CMOS | TI

ADS62P28IRGC25 - Dual 12-Bit 210-MSPS ADC with DDR LVDS/CMOS | TI

ADS62P28IRGC25 ✓ نشط
Texas Instruments
ADS62P22IRGC25 ADS62P22IRGC25 - Dual 12-Bit 65MSPS ADC | Texas Instruments

ADS62P22IRGC25 - Dual 12-Bit 65MSPS ADC | Texas Instruments

ADS62P22IRGC25 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل ADS62P28IRGC25 ADS62P22IRGC25
العلامة التجارية Texas Instruments Texas Instruments
الفئة ADC/DAC ADC/DAC
حالة دورة الحياة نشط نشط
الدقة 12 bit 12 bit
Number of Channels 2 (dual) 2
معدل أخذ العينات 210 MSPS —
Architecture Pipelined Pipeline
Input Type Differential / Single-ended Differential
Full-Scale Input Range 1 Vpp to 2 Vpp (programmable) —
Output Interface DDR LVDS / Parallel CMOS (selectable) —
SNR 70 dBFS (typical at 70 MHz IF) —
SFDR 85 dBc (typical at 70 MHz IF) —
Analog Supply Voltage 3.3 V —
Digital Supply Voltage 1.8 V (LVDS mode) —
Power Dissipation 1.7 W typical —
Input Bandwidth 450 MHz (3 dB) —
العلبة 64-VQFN (RGC) 9x9 mm with exposed pad 64-pin VQFN (RGC) 9x9 mm
درجة حرارة التشغيل -40 C to +85 C (Industrial) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Sampling Rate (max) — 65 MSPS per channel
Data Interface — CMOS / DDR LVDS (selectable)
نوع التركيب — Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +85C (Industrial)
Supply Voltage - Analog (AVDD) — 3.3 V (typical)
Supply Voltage - Digital (DRVDD) — 1.8 V to 3.3 V (typical)
Channel-to-Channel Crosstalk — 95 dB
Coarse Gain — 3.5 dB
Fine Gain Adjustment — 0.05 dB steps up to 6 dB
Digital Processing — Offset correction, fine gain correction
مستوى MSL — 3

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر