AS4C512M16D4-75BCNTR vs AS4C512M16D4A-62BIN مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AS4C512M16D4-75BCNTR بواسطة Alliance Memory و AS4C512M16D4A-62BIN بواسطة Alliance Memory. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ نشط
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4A-62BIN
العلامة التجارية Alliance Memory Alliance Memory
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) $7.90 —
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
التنظيم 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.333 GHz —
معدل البيانات 2666 Mbps per pin 3200 Mbps per pin
Access Time 18 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V) —
الواجهة Parallel POD (Pseudo Open Drain)
Prefetch Architecture 8n —
Internal Bank Count 16 banks —
العلبة 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) 96-FBGA (7.5x13mm)
نطاق درجة حرارة التشغيل 0C to +95C (case, commercial) —
Process Technology 20nm-class DRAM —
Termination On-die termination (ODT) —
Refresh Modes Auto-refresh and self-refresh —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Option Tape & Reel (TR suffix) —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
حجم الذاكرة — 8 Gbit
Clock Rate — 1600 MHz
جهد التغذية — 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
درجة حرارة التشغيل — -40°C to +95°C
زمن الوصول CAS — Programmable (e.g., 22 cycles)
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
RoHS — Compliant
Lead Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر