AT21CS01-STUM16-T vs AT21CS01-STUM10-T مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AT21CS01-STUM16-T بواسطة Microchip Technology و AT21CS01-STUM10-T بواسطة Microchip Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Microchip Technology
AT21CS01-STUM16-T - 1Kb Single-Wire EEPROM, SOT-23-3 | Microchip
AT21CS01-STUM16-T ✓ نشطMicrochip Technology
AT21CS01-STUM10-T - 1Kb Single-Wire EEPROM, SOT-23-3 | Microchip
AT21CS01-STUM10-T ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | AT21CS01-STUM16-T | AT21CS01-STUM10-T |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Microchip Technology | Microchip Technology |
| الفئة | EEPROM | EEPROM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | Single-Wire EEPROM (SEEPROM) | EEPROM (Non-Volatile) |
| Memory Density | 1 Kbit (128 x 8) | — |
| الواجهة | Single Wire (UNI/O), compatible with I2C-style framing | Single-Wire (I2C-compatible protocol structure) |
| Clock Frequency (Max) | 125 kHz (high-speed mode) | — |
| Standard-Speed Mode | 15.4 kbps | — |
| Operating Voltage | 1.7 V to 3.6 V (SI/O pull-up) | — |
| Write Cycle Time (Max) | 5 ms | — |
| Write Endurance | >1,000,000 cycles per memory location | >1,000,000 cycles per location |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention years] | — |
| Unique Serial Number | 64-bit, factory-programmed, read-only | — |
| Security Register | 256-bit (64-bit unique ID + 128-bit user-programmable + 64-bit reserved) | — |
| العلبة | SOT-23-3 (3-pin) | SOT-23-3 (TO-236-3 / SC-59) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +85 C (industrial) | -40 C to +85 C (Industrial) |
| مستوى MSL | 1 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | Microchip Technology | — |
| حجم الذاكرة | — | 1 Kbit (128 x 8) |
| التنظيم | — | 128 x 8 |
| Serial Number | — | Factory-programmed 64-bit unique ID |
| Clock Frequency (Standard Mode) | — | 15.4 kbps |
| Clock Frequency (High Speed) | — | 125 kbps |
| جهد التغذية | — | 1.7 V to 3.6 V |
| Write Cycle Time (Word/Page) | — | 5 ms max (self-timed) |
| عدد الدبابيس | — | 3 |
| Pin Configuration | — | SI/O (data + parasitic power), GND, NC |