AUIRS21811STR vs IRS2104STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AUIRS21811STR بواسطة Infineon و IRS2104STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل AUIRS21811STR IRS2104STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration High and Low Side, Independent —
Driver Type Half-Bridge Gate Driver IC, Non-Inverting —
Number of Drivers 2 —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap High-Side Voltage (Max) 600 V —
Peak Source Current 1.9 A —
Peak Sink Current 2.3 A —
Rise Time (Typ, 1 nF load) 60 ns —
Fall Time (Typ, 1 nF load) 35 ns —
Propagation Delay (Typ) 160 ns —
Delay Matching (HS/LS) [DATA_NEEDED: delay matching t/s] —
Input Logic Levels VIL 0.8 V, VIH 2.5 V (CMOS/TTL compatible) —
Input Type Non-Inverting —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, on VCC and VBS —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة 8-SOIC (3.90 mm width) 8-Lead SOIC (SOIC-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) MSL3 —
Automotive Qualification AEC-Q100 —
حالة RoHS Compliant Compliant (PbF suffix)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
البنية الطوبولوجية — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Propagation Delay (typ.) — 150 ns
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
Logic Input Compatibility — Standard CMOS / LSTTL
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40C to +150C
مستوى MSL — 2 (1 year floor life per datasheet)
Qualification Level — Industrial

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر