BFU520A vs BFU520 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BFU520A بواسطة NXP Semiconductors و BFU520 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
NXP Semiconductors
BFU520 - NPN Wideband RF Transistor 2GHz | NXP Semiconductors
BFU520 ✗ انتهى عمره الإنتاجيمقارنة المواصفات
| المعامل | BFU520A | BFU520 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| الفئة | Transistors | Transistors |
| حالة دورة الحياة | نشط | نهاية العمر الإنتاجي |
| نوع الترانزستور | NPN silicon wideband RF transistor | — |
| العلبة | SOT23 (TO-236-3), 3-pin plastic | SOT143B (4-pin, dual-emitter, plastic) |
| Maximum Operating Frequency | up to 2 GHz | — |
| Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Polarity | NPN | NPN |
| Product Family | BFU5 family | BFU5 series |
| Application Class | High speed, low noise; small signal to medium power | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| جهد المجمع-الباعث (Vceo) | [DATA_NEEDED: VCEO] | — |
| تيار المجمّع (Ic) | [DATA_NEEDED: IC max] | — |
| تردد الانتقال (ft) | [DATA_NEEDED: fT] | — |
| Noise Figure NF | [DATA_NEEDED: noise figure] | — |
| Gain (S21/Gp) | [DATA_NEEDED: gain] | — |
| تبديد القدرة (Ptot) | [DATA_NEEDED: Ptot] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature] |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Technology | — | Silicon wideband RF bipolar transistor |
| جهد المجمع-الباعث (Vceo) | — | 12 V |
| Collector Current (IC max) | — | 30 mA |
| Total Power Dissipation | — | 450 mW |
| Application Frequency Range | — | up to 2 GHz |
| Noise Performance | — | Optimized for low-noise applications |
| تردد الانتقال (ft) | — | [DATA_NEEDED: transition frequency] |
| DC Current Gain (hFE) | — | [DATA_NEEDED: hFE range] |
| Noise Figure (NF) | — | [DATA_NEEDED: noise figure at bias] |