BFU520A vs BFU520R مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BFU520A بواسطة NXP Semiconductors و BFU520R بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BFU520A | BFU520R |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| الفئة | Transistors | Transistors |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | NPN silicon wideband RF transistor | NPN wideband silicon RF BJT |
| العلبة | SOT23 (TO-236-3), 3-pin plastic | SOT-143B (4-pin, dual-emitter, plastic) |
| Maximum Operating Frequency | up to 2 GHz | — |
| Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Polarity | NPN | — |
| Product Family | BFU5 family | — |
| Application Class | High speed, low noise; small signal to medium power | Small signal to medium power |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| جهد المجمع-الباعث (Vceo) | [DATA_NEEDED: VCEO] | — |
| تيار المجمّع (Ic) | [DATA_NEEDED: IC max] | — |
| تردد الانتقال (ft) | [DATA_NEEDED: fT] | — |
| Noise Figure NF | [DATA_NEEDED: noise figure] | — |
| Gain (S21/Gp) | [DATA_NEEDED: gain] | — |
| تبديد القدرة (Ptot) | [DATA_NEEDED: Ptot] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| جهد المجمع-الباعث (Vceo) | — | 12 V |
| Collector Current (IC max) | — | 30 mA |
| تردد الانتقال (ft) | — | 10.5 GHz |
| Total Power Dissipation | — | 450 mW |
| Frequency Range | — | up to 2 GHz application range |
| Noise Performance | — | Low noise, high breakdown |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Family | — | BFU5 (BFU5x wideband silicon RF transistors) |
| Configuration | — | Single NPN, dual-emitter |
| Noise Figure | — | [DATA_NEEDED: noise figure in dB] |
| Gain | — | [DATA_NEEDED: gain] |