BSC030N08NS5ATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC030N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC014N06NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC030N08NS5ATMA1 BSC014N06NSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Type N-Channel Power MOSFET —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (shielded-gate trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) 161 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
RDS(on) max at VGS=10 V 3.0 mOhm —
RDS(on) max at VGS=7 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V] —
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) 2.5 W —
Power Dissipation (TC=25C) 139 W —
Operating Temperature Range (TJ) -55C to +150C —
العلبة PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
حالة RoHS Compliant Compliant
خالٍ من الهالوجين Yes —
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic Standard 10V, compatible with 12V drive —
Optimized Application Synchronous Rectification —
Product Family — OptiMOS 5
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V — 1.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.45 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 156 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر