BSC050N03LSGATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC050N03LSGATMA1 بواسطة Infineon و BSC020N03LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 - 30V 80A 5mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC050N03LSGATMA1 - 30V 80A 5mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC050N03LSGATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSC050N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC050N03LSGATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 80 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 5 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet)
العلبة PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C -55 C to +150 C (junction)
Channel Type N-Channel —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet)
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — approximately 2.0 mOhm
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 96 W
العلبة / الحالة — PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm)
Packaging — Tape & Reel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر