BSC066N06NSATMA1 vs BSC027N06LS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC066N06NSATMA1 بواسطة Infineon و BSC027N06LS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSC066N06NSATMA1 BSC027N06LS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C 45 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 256 A [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 6.6 mΩ (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) Logic-level
Total Gate Charge (Qg) 26 nC (typ) —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 46 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 1.3 °C/W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +150°C —
العلبة PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 —
حالة RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 60 V trench-gate MOSFET (Metal Oxide)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS™ 5
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 2.7 mOhm
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 83 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +150°C
العلبة / الحالة — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
عدد الأطراف — 8
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total Qg]
Avalanche Energy Rated — Yes
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر