BSC0901NSATMA1 vs BSC030N03LSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC0901NSATMA1 بواسطة Infineon و BSC030N03LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC0901NSATMA1 BSC030N03LSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 30V —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 28 A —
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 1.9 mOhm —
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Avalanche Energy (EAS) 80 mJ —
Power Dissipation (PD) at Tc 69 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C —
العلبة TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) 1 —
Built-in Body Diode Yes —
حالة RoHS Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel with Built-in Diode —
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 100 A
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C — 23 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3 mOhm
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ — 2.2 V
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V — 55 nC
Output Charge (Qoss) — 66 pF
Input Capacitance (Ciss) Typ — 4.3 nF
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 69 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +150C
مستوى MSL — 1
Avalanche Rated — Yes (100% tested)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر