BSC0921NDIATMA1 vs BSZ031NE2LS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC0921NDIATMA1 بواسطة Infineon و BSZ031NE2LS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC0921NDIATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 25V (N-channel) —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 17 A (per channel) —
Pulsed Drain Current (IDM) 31 A (per channel, package-limited) [DATA_NEEDED: IDM]
Total Power Dissipation (PD) 1 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
العلبة PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (per Infineon OptiMOS family) [DATA_NEEDED: MSL]
Primary Application Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators —
Part Number — BSZ031NE2LS5ATMA1
Technology / Platform — OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
RDS(on) max @ VGS=10 V — 3.1 mOhm
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 30 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر