BSZ017NE2LS5IATMA1 vs ISC110N12NM6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ017NE2LS5IATMA1 بواسطة Infineon و ISC110N12NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSZ017NE2LS5IATMA1 | ISC110N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (TA) | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V | 1.7 mΩ | — |
| On-Resistance Test Current | 20 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Rating | ±16 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V @ 250 µA | — |
| Total Gate Charge Qg | 30 nC @ VGS=10V | — |
| Input Capacitance Ciss | 2000 pF @ VDS=12V | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 50 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55°C to +150°C | -55 °C to +175 °C |
| العلبة | PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) | SuperSO8 (TDSON-8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Series / Family | OptiMOS 5 25V | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 11 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 62 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 9.8 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.1 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 15.4 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1.1 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 330 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 10 pF |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 94 W |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 3 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 185 mJ |