BTS3050TFATMA1 vs BTS3050EJXUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTS3050TFATMA1 بواسطة Infineon و BTS3050EJXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BTS3050TFATMA1 | BTS3050EJXUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Part Number | BTS3050TFATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | HITFET Smart Low-Side Switch | — |
| Switch Type | N-Channel Low-Side Smart Power Switch | — |
| عدد المخارج | 1 | — |
| RDS(on) (typ) | 44 mOhm at 25 C | — |
| Continuous Drain Current | 4 A | — |
| Load Voltage (max) | 5.5 V | — |
| Logic Input | CMOS compatible, logic-level | — |
| Status Output | Yes (fault feedback) | — |
| Protection Features | Over-current, Over-temperature, Over-voltage, ESD | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +150 C (junction) | — |
| العلبة | PG-TO252-3-313 (TO-252 / DPAK) | PG-TDSO-8-31 (TDSO8-31) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q100 | Qualified | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Product Type | — | Smart Low-Side Power Switch |
| Technology | — | N-Channel Vertical Power MOSFET (HITFET +12V) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 50 mΩ (typical at 25 °C) |
| Continuous Load Current | — | 4 A |
| Number of Channels | — | 1 (Single channel) |
| البنية الطوبولوجية | — | Low-Side Switch (1:1) |
| Supply Voltage (Vbb) | — | [DATA_NEEDED: Vbb max rating] |
| Load Voltage | — | 12 V automotive nominal |
| ESD Protection | — | Yes (on IN pin / Source / Ground) |
| Thermal Protection | — | Auto-restart overtemperature shutdown |
| حد التيار | — | [DATA_NEEDED: ILIM value] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: Tj range] |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Automotive Grade | — | AEC-Q100 qualified (HITFET +12V family) |