BTS3118NHUMA1 vs BTS3134NHUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTS3118NHUMA1 بواسطة Infineon و BTS3134NHUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BTS3118NHUMA1 BTS3118NHUMA1 - 2.17A Smart Low-Side Switch | Infineon

BTS3118NHUMA1 - 2.17A Smart Low-Side Switch | Infineon

BTS3118NHUMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BTS3118NHUMA1 BTS3134NHUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Switch Type Low-Side Power Switch —
تكوين الخرج 1:1 —
عدد المخارج 1 —
Continuous Drain Current 2.17 A —
Operating Voltage (Vbb) 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected) —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C] —
Input Logic Level Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible) CMOS / TTL compatible
Input Protection ESD protected —
Thermal Protection Thermal shutdown with latch —
Fault Protection Overload, short-circuit, overvoltage, current limit —
العلبة PG-SOT223-4 PG-SOT223-4 (4-pin, 3+Tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C junction —
RoHS Compliance Green product, RoHS compliant —
Process Technology Smart SIPMOS (vertical N-channel) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Type — Smart Low-Side Power Switch
البنية الطوبولوجية — 1:1 N-Channel Switch/Driver
Maximum Operating Voltage — 42 V
Continuous Output Current — 3 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 50 mΩ typical
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +150 °C
Automotive Qualification — AEC-Q100
Protection Features — Over-current, Over-temperature, Over-voltage, ESD
Status Flag Output — Yes (diagnostic feedback)
Technology — SIPMOS (vertical N-channel MOSFET + CMOS logic)
حالة RoHS — Compliant
Packaging — Tape & Reel
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر