EP1AGX50DF780C7 vs EP1AGX50DF780C6 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP1AGX50DF780C7 بواسطة Altera و EP1AGX50DF780C6 بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP1AGX50DF780C7 | EP1AGX50DF780C6 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Altera | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | NRND | نشط |
| Family | Arria GX | Arria GX |
| Logic Elements | 50,160 | 50,160 |
| Memory Bits | 2,475,072 bits | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 232 | — |
| Transceiver Count | Up to 8 channels | — |
| Max Transceiver Data Rate | 3.125 Gbps | — |
| Process Technology | 90 nm CMOS | 90 nm |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| العلبة | 780-ball FineLine BGA (DF780) | 780-pin FBGA (FineLine BGA) |
| I/O Pins | [DATA_NEEDED: I/O pin count] | — |
| User I/O Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Speed Grade | C7 (commercial, speed grade 7) | C6 |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C (commercial) | — |
| Configuration Modes | Passive Serial (PS), Active Serial (AS), JTAG | JTAG, Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP) |
| Memory Interfaces | DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance] | Non-Compliant (per Besenchips listing - contains lead) |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 2,508 |
| Embedded Memory (bits) | — | 2,475,072 |
| User I/O Count | — | 350 |
| Temperature Grade | — | Commercial (0C to +85C) |
| Transceiver Data Rate (max) | — | Up to 3.125 Gbps |
| Hard PCI Express IP | — | Yes (x1/x4 endpoint and root port, PCIe 1.0) |
| Embedded Multipliers | — | 18x18 multipliers |
| Supply Voltage (Core) | — | 1.2 V |
| I/O Standards Supported | — | LVTTL, LVCMOS, LVDS, SSTL, HSTL, PCI, PCI-X |