EP2AGX45DF29C5G vs EP2AGX45DF29C6G مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP2AGX45DF29C5G بواسطة Intel و EP2AGX45DF29C6G بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP2AGX45DF29C5G | EP2AGX45DF29C6G |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | NRND | NRND |
| Family | Arria II GX | Intel FPGA (formerly Altera) |
| Logic Elements (LE) | 42,959 | 45,000 |
| Logic Array Blocks (LABs) | 1,805 | — |
| Embedded Memory Bits | 3,517,440 | 3,517,440 |
| User I/O Count | 364 | 364 |
| Transceiver Channels | 8 | 8 (up to 6.375 Gbps) |
| Max Transceiver Data Rate | 6.375 Gbps | — |
| Speed Grade | C5 | C6 (commercial, mid-speed) |
| Core Voltage (typ.) | 0.9 V | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | 0°C to 85°C (Commercial) | — |
| العلبة | 780-ball FC-FBGA (29 mm x 29 mm) | 780-FBGA (29x29 mm, 1.0 mm pitch) |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (BGA) |
| Lead Finish | Pb-free (G suffix) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Configuration Memory | SRAM-based (volatile) | — |
| Process Node | 40 nm TSMC low-power | 40 nm TSMC low-power |
| Hard Memory Controllers | DDR3 / DDR2 / QDR II+ / QDR II | — |
| PCI Express Hard IP | Gen1/Gen2 (PIPE) | — |
| DSP 18x18 Multipliers | Up to 156 | 312 |
| PLLs | On-die (multiple) | — |
| Series | — | Arria II GX |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0C to +85C (commercial) |
| Hard IP Blocks | — | PCIe Gen1/Gen2, External Memory Controller |
| Configuration | — | SRAM-based, volatile |
| مستوى MSL | — | 3 (168 hours) |