EP3CLS100F484I7 vs EP3C120F484I7N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3CLS100F484I7 بواسطة Intel و EP3C120F484I7N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP3CLS100F484I7 | EP3C120F484I7N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | NRND |
| Device Family | Cyclone III LS | — |
| Logic Elements (LE) | 100,448 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 278 | 7,443 |
| Total Embedded Memory Bits | 4,451,328 bits | — |
| Embedded Memory (M9K Blocks) | 610 (per datasheet family) | — |
| DSP Blocks (18x18 Multipliers) | 66 | — |
| 18x18 Hardware Multipliers | 16 dedicated | — |
| PLLs | 4 | — |
| Maximum User I/Os | 429 | — |
| العلبة | 484-ball FBGA (FineLine BGA) | 484-FBGA (FBGA-484) 23 x 23 mm, 1.0 mm pitch |
| Core Supply Voltage | 1.2 V | — |
| I/O Standards Supported | LVDS, LVCMOS, LVTTL, SSTL, HSTL | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40C to +85C (Industrial) | — |
| Process Technology | TSMC 65 nm low-power (LP) | 65 nm |
| Configuration Method | Serial/Parallel, AES-256 encrypted (LS feature) | — |
| External Memory Support | DDR, DDR2, QDRII, RLDRAM II | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (lead-free) |
| Family | — | Cyclone III |
| Device Type | — | FPGA |
| Logic Elements | — | 119,088 |
| Embedded Memory (M9K blocks) | — | 432 |
| Embedded Memory Bits | — | 3,981,312 (approx. 4 Mbits) |
| Embedded Multipliers (18x18) | — | 288 |
| Maximum User I/O Pins | — | 283 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.15 V to 1.25 V |
| I/O Bank Count | — | 8 |
| Internal Operating Frequency (max) | — | 472 MHz |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40 °C to +100 °C (industrial, -I7N) |
| Speed Grade | — | 7 (commercial/industrial) |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| خالٍ من الهالوجين | — | Compliant |