EP3SE260F1517I3N vs EP3SE260F1517I3 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE260F1517I3N بواسطة Intel و EP3SE260F1517I3 بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP3SE260F1517I3N | EP3SE260F1517I3 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | Obsolete | نشط |
| Family | Stratix® III E | Stratix III E |
| Logic Elements | 255,000 | 255,000 |
| Embedded Memory Bits | 16,672,768 bits | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 10,200 | 10,200 |
| User I/O Count | 976 | — |
| Core Voltage | 1.1 V | 1.0 V typical |
| Process Technology | 65 nm | 65 nm CMOS |
| العلبة | 1517-ball FC-FBGA | 1517-BBGA, FCBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | -3 (fastest) | — |
| Temperature Grade | Industrial (I): -40 °C to +100 °C | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -40 °C to +100 °C | — |
| Configuration Method | JTAG / Passive Serial / Active Serial | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Internal Logic Performance | Up to 500 MHz | — |
| Memory Subsystems | M9K + M144K block RAM, DDR2/DDR3/QDR II+ controllers | — |
| DSP Blocks | Yes (dedicated multiply-accumulate) | — |
| Embedded Memory (bits) | — | 16,672,768 |
| Maximum User I/Os | — | 976 |
| Operating Temperature Grade | — | Industrial |
| Junction Temperature Range | — | -40C to +125C |
| Maximum Core Frequency | — | 717 MHz |
| I/O Standards Supported | — | LVDS, LVTTL, LVCMOS, HSTL, SSTL |
| Configuration | — | SRAM-based, volatile (requires external configuration device) |