EP4CE55F23C7N vs EP4CE55F23C8L مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP4CE55F23C7N بواسطة Intel و EP4CE55F23C8L بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP4CE55F23C7N | EP4CE55F23C8L |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Family | Cyclone IV E | Cyclone IV E |
| Logic Elements | 55,856 | 55,856 |
| Configurable Logic Blocks (CLBs) | 3,491 | — |
| Embedded Memory | 2,396,160 bits | — |
| Maximum User I/O | 324 | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 66 | — |
| PLLs | 4 | — |
| Global Clock Networks | 16 | — |
| Maximum Operating Frequency | 472.5 MHz (C7 speed grade) | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.2 V | — |
| Process Technology | 60 nm low-power CMOS | 60 nm |
| العلبة | 484-FBGA (F23) 23 x 23 mm, 1.0 mm pitch | 484-FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C (commercial, C7) | 0 C to +85 C |
| Configuration Modes | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Embedded Memory (bits) | — | 2,396,160 |
| Number of I/Os | — | 324 |
| Number of LABs/CLBs | — | 3491 |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | C8 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Configuration Method | — | SRAM (volatile) / Passive Serial / JTAG |
| On-Chip 18x18 Multipliers | — | 156 |