EPC8QC100DM vs EPC16QC100DM مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EPC8QC100DM بواسطة Intel و EPC16QC100DM بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EPC8QC100DM EPC16QC100DM
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة EEPROM Memory ICs
حالة دورة الحياة Obsolete NRND
نوع الذاكرة Non-volatile configuration PROM Non-volatile Configuration PROM (NOR flash)
حجم الذاكرة 8 Mb (1 MB) —
الواجهة Serial (Passive Serial / Passive Parallel Synchronous / Active Serial) —
Supply Voltage (VCC) 3.0 V to 3.6 V (3.3 V typical) —
Maximum DCLK Frequency 40 MHz 40 MHz
In-System Programming Yes (IEEE 1149.1 / IEEE 1532 JTAG) Yes (IEEE 1532 / JTAG)
Cascade Support Yes - two EPC8 devices for 16 Mb —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +85 C (industrial / DM suffix) —
العلبة 100-PQFP (20 x 14 mm) 100-pin PQFP (QFPA)
نوع التركيب Surface Mount —
مستوى MSL 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Lead-free (per supplier); halogen status not in datasheet excerpt —
Compatible FPGA Families Cyclone, Cyclone II, Cyclone III, Stratix, Arria Stratix, Cyclone, APEX, ACEX
Configuration Modes PS, PPS, AS (with appropriate FPGA master) —
Programming Cycles [DATA_NEEDED: minimum erase/write endurance cycles] —
Memory Density — 16 Mbit (2 Mbyte)
Configuration Interface — Serial (SPI-compatible, Altera FPP mode)
Core Supply Voltage (VCC) — 3.0 V to 3.6 V
I/O Voltage (VIO) — 2.5 V / 3.3 V selectable
Output Voltage (VPP) — 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V selectable
Cascadable — Yes (multi-device daisy chain via nCASC)
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase cycle endurance]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention years]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +85 C (industrial)
Package Code — Q100 + DM suffix
Lead-Free / RoHS — [DATA_NEEDED: lead-free status]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر