EPM2210F256C5N vs EPM2210GF256C5N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EPM2210F256C5N بواسطة Intel و EPM2210GF256C5N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EPM2210F256C5N | EPM2210GF256C5N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Family | MAX II | MAX II |
| Logic Elements | 2210 | 2210 |
| Macrocells | 1700 | — |
| User I/Os | 204 | — |
| User Flash Memory (UFM) | 8 Kbits | — |
| Propagation Delay (tPD) | 7 ns | — |
| Turn-On Delay (tSU) | 11.2 ns | — |
| Maximum Internal Frequency | 201.1 MHz | — |
| Supply Voltage (VCCINT) | 2.375 V to 3.6 V (3.3 V typical) | — |
| I/O Voltage Standards | 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V | — |
| Process Technology | 0.18 um CMOS with on-chip flash | — |
| Global Clocks | 4 | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C (commercial) | — |
| العلبة | 256-ball FineLine BGA (17x17mm, 1mm pitch) | 256-ball FineLine BGA (GF256) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Configuration Memory | Internal flash (non-volatile, instant-on) | Non-volatile on-chip Flash |
| Programming Interface | JTAG (IEEE 1149.1) / ByteBlaster / USB-Blaster | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: rohs status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Speed Grade | — | C5 |
| Temperature Grade | — | Commercial (N) |
| Process Node | — | 0.18 µm |
| Maximum User I/O Pins | — | 272 |
| User Flash Memory | — | 8 Kbits |
| On-chip Oscillator | — | Yes |
| Multi-volt I/O Support | — | 1.5V / 1.8V / 2.5V / 3.3V |
| Programmable Interconnect | — | MultiTrack |
| In-system Programming | — | JTAG (IEEE 1149.1) |
| Logic Block Architecture | — | 4-input LUT |