H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NCR-VKC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NCJR-XNC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NCR-VKC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5ANAG6NCJR-XNC | H5ANAG6NCR-VKC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $68.91 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps/pin | [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) | — |
| الواجهة | Parallel | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| العلبة | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| Memory Density | — | 16 Gbit |
| التنظيم | — | 2G x 8 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4) |
| Burst Length | — | BL8 |
| Refresh Mode | — | 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] |
| Technology | — | CMOS |
| Application | — | Main memory (PC / server / embedded) |