H5ANAG8NCJR-XNC vs H5ANAG8NAMR-UHC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG8NCJR-XNC بواسطة SK hynix و H5ANAG8NAMR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5ANAG8NCJR-XNC | H5ANAG8NAMR-UHC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $65.63 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gbit |
| التنظيم | 2G x 8 | 2G x 8 |
| معدل البيانات | 3200 MT/s (DDR4-3200) | DDR4-2400 (2400 MT/s) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| العلبة | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | FBGA-78 |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node | 1z nm (non-EUV) | — |
| Die Bit Density | 0.296 Gb/mm2 | — |
| Peak Bandwidth (per 64-bit channel) | 25.6 GB/s at DDR4-3200 | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | Self-refresh and auto-refresh (DDR4) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (lead-free FBGA package) |
| Base Part Number Family | H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) | — |
| Speed Grade Suffix | -XNC (0~95C commercial) | — |
| Manufacturer | — | SK Hynix |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| الواجهة | — | Parallel, DDR4 |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Applications | — | Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules |