IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUC60N04S6N044ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC100N04S6L020ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC60N04S6N044ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC60N04S6N044ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 40 V —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Tc) 75 W —
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A 2.04 mΩ —
RDS(on) Typical 2.0 mΩ —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical 2.0 V —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS-6 N-channel trench MOSFET
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C (TJ) —
العلبة PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) PG-TDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade —
Packaging Tape & Reel (TMA1) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C — 60 A
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C — [DATA_NEEDED: pulsed/current derated value]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=10V — 4.4 mΩ
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=4.5V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: typical gate charge]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25°C — 42 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55°C to +175°C
مستوى MSL — 1 (unlimited)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified (IAUC prefix)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر