IPB35N10S3L26ATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB35N10S3L26ATMA1 بواسطة Infineon و IPB024N10N5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB35N10S3L26ATMA1 IPB024N10N5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T —
Channel Type N-Channel —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
Package Type PG-TO263-3 (D2PAK-2) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Mode Enhancement —
RDS(on) (typical per Infineon product page) 26.3 mΩ —
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80 nC —
Maximum Drain-Source Resistance Rds 1.7 mΩ (per RS Components listing) —
Minimum Operating Temperature -55 C —
Maximum Power Dissipation Pd 81 W (per RS Components listing) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] —
Technology — OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C (junction)
العلبة — PG-TO263-7 (D2PAK-7)
مستوى MSL — 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
خالٍ من الهالوجين — Yes (per Infineon product family policy)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر