IPC50N04S55R8ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPC50N04S55R8ATMA1 بواسطة Infineon و IPD50N04S408ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPC50N04S55R8ATMA1 | IPD50N04S408ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | 50 A | — |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | 42 W | — |
| R_DS(on) Max (V_GS=10V) | 5.8 mΩ | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 305 pF | — |
| Gate Threshold (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th)] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| العلبة | PG-TDSON-8-33 (TDSON EP) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | MSL1 (260 °C peak reflow) | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS / Green | RoHS compliant, Green Product | — |
| Polarity | Enhancement Mode | N-Channel |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| Mode | — | Enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (V DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I D, Tc) | — | 50 A |
| Power Dissipation (P D, Tc) | — | 46 W |
| Avalanche Tested | — | 100 % Avalanche tested |
| Green Package (RoHS) | — | RoHS compliant |
| Gate Threshold Voltage (V GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] |
| On-State Resistance (R DS(on)) | — | [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] |
| Total Gate Charge (Q G) | — | [DATA_NEEDED: Q G typical] |