IPD028N06NF2SATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD028N06NF2SATMA1 بواسطة Infineon و IPD65R380E6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD028N06NF2SATMA1 IPD65R380E6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD028N06NF2SATMA1 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Family OptiMOS 5 60V —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 139 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 2.85 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation at TA=25°C 3 W —
Power Dissipation at TC=25°C 150 W —
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
العلبة PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain-tab, Source) —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — CoolMOS™ E6
Technology — Superjunction (CoolMOS™)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 10.6 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 380 mΩ
R_DS(on) test conditions — 3.2 A, 10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V typ
Gate Charge (Q_G) — 39 nC at 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 710 pF at 100 V
Power Dissipation (P_D) at T_C — 83 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +150 °C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر