IQDH88N06LM5ATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQDH88N06LM5ATMA1 بواسطة Infineon و IQDH88N06LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQDH88N06LM5ATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Drain Current (ID) Continuous at Ta | 42 A | — |
| Drain Current (ID) Continuous at Tc | 447 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 0.86 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 333 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| العلبة | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: TJ max] | -55°C to +175°C (TJ) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| تبديد القدرة (TC=25°C) | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| عدد الأطراف | — | 9 (with exposed pad) |
| Cooling | — | Dual-side cooling capable |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |